先藝產品|用于芯片封裝的鍵合金絲及金帶
引線鍵合(Wire Bonding)技術由于工藝成熟簡單,靈活性高,易實現自動化等在封裝界被廣泛應用。它適用于各種材料和尺寸的芯片,能夠適應不同的應用場景如消費電子、汽車電子和航空航天等領域。
引線鍵合是將細小的金屬線(通常是金、銅、鋁)連接到半導體芯片的I/O焊盤和外部引腳之間,以實現芯片與其他設備封裝元件之間的電信號傳輸。這個過程通常在室溫下進行,依靠超聲波壓力和熱能以促進金屬絲的金屬元素在鍵合層間形成金屬擴散以形成牢固焊接,鍵合過程如圖所示。
圖1 引線鍵合工藝過程
引線鍵合技術最早出現于上世紀50年代,最早的主流引線鍵合技術為手工鍵合,效率低下且鍵合質量不穩定。60年代時在電子封裝領域開始逐步被廣泛的應用,自動鍵合技術在此時開始初有規模。發展到80年代時,自動鍵合技術已逐漸成熟。金絲由于其優越的延展性、可塑性、以及優越的抗氧化、耐腐蝕性成為引線鍵合工藝中的首選材料。
圖2 引線鍵合
金絲鍵合在半導體封裝和微電子制造領域中具有許多優點:
1. 導電性和導熱性:金具有優異的導電性和導熱性,能夠有效地傳輸電流和散發熱量,從而提高器件的整體性能;
2. 抗氧化性和耐腐蝕性:金是一種惰性金屬,不易氧化和腐蝕,這使得金絲鍵合的器件具有更長的使用壽命和更高的可靠性;
3. 鍵合強度高:金絲形成的鍵合強度高,能夠承受較大的機械應力和溫度變化;
4. 加工性能好:金絲具有良好的柔韌性和延展性,易于加工和成型,適合各種復雜的鍵合工藝;
5. 適應性強:金與銀、銅界面金屬層形成可靠接頭,能夠適應不同的應用場景和封裝需求;
6. 鍵合過程穩定:金絲鍵合過程穩定,鍵合質量一致性高,適合大規模生產和自動化制造;
7. 生物相容性:金具有良好的生物相容性,適用于醫療電子設備和其他需要與人體接觸的應用場景。
隨著芯片向著小型化的發展,鍵合密度開始變得更加密集,這對鍵合線無論是機械性能或是穩定性能上都有更大的要求。金絲鍵合為目前滿足高溫、高集成以及高可靠性封裝的最優引線鍵合方案。
圖3 引線鍵合中用的金絲
先藝電子的鍵合金絲、金帶Au含量高達99.99%,通過嚴格的雜質管控及精密加工工藝制得尺寸精準、表面潔凈無缺陷的高質量產品。我們面向不同領域的需求提供最細可達φ15μm的鍵合金絲,可匹配球形鍵合、楔形鍵合、植球等應用,同時也可根據客戶要求對金絲的力學性能予以調整。下表展示了先藝電子常規金絲規格及性能參數。
線徑 | mil | 0.6 | 0.7 | 0.8 | 0.9 | 1.0 | 1.2 | 1.25 | 1.5 | 1.8 | 2.0 |
μm | 15±1 | 18±1 | 20±1 | 23±1 | 25±1 | 30±1 | 31.8±1 | 38±1 | 45±1 | 50±1 | |
室溫斷裂負荷BL(CN) | >2.0 2.0-6.0 | >4.0 4.0-7.0 | >5.0 5.0-8.0 | >7.0 7.0-10.0 | >9.0 9.0-12.0 | >13.0 13.0-16.0 | >15.0 15.0-20.0 | >21.0 21.0-28.0 | >28.0 28.0-37.0 | >32.0 32.0-42.0 | |
室溫延伸率EL(%) | 1.5-4.0 | 2.0-5.0 | 2.0-7.0 | 2.0-7.0 | 2.0-8.0 | 3.0-8.0 | 3.0-8.0 | 3.0-10.0 | 3.5-11.5 | 4.0-12.0 | |
熔斷電流/A (絲長10mm) | 0.28 | 0.31 | 0.38 | 0.45 | 0.49 | 0.62 | 0.71 | 0.83 | 1.01 | - |
對于金絲絲徑的選用,應遵循以下選用原則:
1. 根據鍵合方式不同,球形鍵合的絲徑不要超過焊盤尺寸的1/4 ,楔形鍵合則不超過焊盤尺寸的1/3;鍵合接頭一般為絲徑的2.5-3.5倍,且不超過焊盤尺寸的3/4;
2. 根據載流需求,設計方案中的最大載流應低于所選擇金絲絲徑對應熔斷電流的50%-70%,以確保金絲鍵合器件的長期穩定工作。
3. 根據鍵合金絲長度,一般要求鍵合金絲長度不應大于絲徑的100倍,否則會出現金絲塌陷不良;
4. 根據線間距,防止工作中的電磁串擾,一般要求金絲間距應大于3-5倍絲徑,焊盤焊球間距應大于1.5倍絲徑。
射頻器件通常工作在較高的頻率范圍內,對高頻性能的要非常的高。金絲鍵合會引入不必要的寄生電感對器件的高頻性能產生影響,導致高頻器件惡化。而金帶的導入能夠對這種不良有很大的改善。相對于金絲,金帶在高頻器件中的應用有以下優點:
1. 低寄生電感:金帶的扁平形狀可以增大平面寬度,提供更低的寄生電感和電阻,從而在高頻下表現出更好的性能;
2. 良好的機械穩定性:金帶的寬度和厚度可以提供更大的接觸面積和更強的鍵合力,從而提高器件的耐用性和可靠性;
3. 高散熱性:扁平金帶相較于金絲而言有更多的扇熱面積;
4. 工藝適應性:適用各種不同的鍵合工藝,如熱壓焊、超聲波鍵合和電阻點焊等,能夠滿足不同的高頻器件的封裝需求;
圖4 金帶鍵合
下表為先藝電子常規金帶規格:
先藝電子常用金帶規格 | |
寬度(μm) | 50μm, 75μm, 100μm, 150μm, 200μm等 |
厚度(μm) | 12.7μm, 25μm等 |
*金帶寬度及厚度可根據客戶需求進行定制
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