摘自：電力電子網

來源：內容來自MicroPowerNews

          在未來幾年，IGBT市場具有很好的投資價值。我們預計到2022年，全球IGBT市場總量將超過50億美金，其主要增長將來自于功率模塊的銷售貢獻。IGBT市場將得益于巨大的汽車市場影響，特別是在電動汽車（EV）和混合動力汽車（EHV）的電力傳動部分應用。作為一個潛力巨大的新興市場，EV/EHV前景十分廣闊。在這一領域中，整個2016年IGBT市場份額為8.45億美金，我們預計到2022年，EV/EHV領域將占整個IGBT市場的40%。

         IGBT的另一大應用領域是電機驅動，這一領域保持著穩步增長。我們預計未來五年，整個電機驅動市場將有4.6%的年復合增長率。依靠大型設備安裝量的增長，光伏（PV）和風力發電領域同樣是一個十分活躍的IGBT市場。值得一提的是，2016年中國貢獻了全球最大的太陽能面板安裝量，全年新增了35000兆瓦的太陽能發電設施。

         400至1700V的中低壓領域的分立式IGBT，在消費級市場、電網、焊接和白色家電應用中具有很強的競爭力，占據了整個IGBT市場的四分之一。由于越來越高的能效標準需求，白色家電領域的市場份額將會保持增長，未來五年的復合增長率將達到6%左右。除汽車市場外，我們預計在其它運輸工具的市場上，2022年分立式IGBT的出貨量將比2016年翻一番，主要用于航空電子和船舶推進系統。

新一代產品帶來的技術和封裝變革

         自從寬禁帶半導體（WBG）產品進入市場以來，一個巨大的疑問一直存在：硅基器件還能繼續走多遠？使用SiC和GaN材料的器件表現出良好的性能，已經逐漸與現有的硅功率器件形成了競爭。例如，我們認為SiC的應用將會直接影響到IGBT市場，一個很大的可能性就是，SiC在可預見的未來將完全接管汽車市場。但我們預計IGBT在整個電力電子領域并不會被完全取代，仍會有相當一部分的市場份額。

         事實上，即使IGBT已經接近技術極限，仍然有新的結構設計和新材料來不斷提高其性能，來和寬禁帶半導體器件競爭。未來幾年，英飛凌（Infneon）、富士（Fuji）、ABB還將繼續推出新設計的IGBT產品。各廠商也在不停的改進封裝技術，并減小封裝帶來的寄生效應，盡量提高IGBT的工作效率。例如應用嵌入式、疊層、三維互連等封裝技術，或高壓集成電路來減小封裝尺寸，提高模塊的功率密度。

         目前，各大廠商的IGBT產品覆蓋了從400V到6.5kV很寬的電壓范圍。400V的IGBT將直接與普通MOSFET競爭，而電壓高于600V的IGBT將會遭遇 SJ MOSFET（Coolmos等，利用Super Junction結構作耐壓區的MOSFET）或寬禁帶半導體器件的競爭。而比這些更低電壓等級的IGBT體現不出其本身結構上的優勢（大電流、低導通壓降），所以沒有得到發展，無法形成產品。

IGBT產業鏈：一個十分成熟的行業，仍不斷有新的競爭者加入

         IGBT作為一個成熟的器件，供應鏈的各個環節都有很強的合作關系。因此，在 最近兩年IGBT的主要廠商基本沒有變化，只有安森美半導體（ON Semiconductor）在2016年底收購仙童（Fairchild）之后，躋身成為全球前五的IGBT供應商。然而，越來越多的公司正在試圖進入IGBT市場以獲取市場價值，如剛剛完成對艾賽斯（IXYS）公司收購的Littelfuse。

         大多數廠商都在600-1300V的中壓范圍內提供分立器件和模塊化產品，占全球IGBT市場的60％以上。只有少數幾家廠商，如美國微芯（Microchip）和日本Sanken電氣，專門研究低壓分立式IGBT，而三菱（Mitsubishi）和日立（Hitachi）等幾家廠商則只銷售模塊化產品。特別指出，由于中國高鐵的迅速發展和大功率電氣機車的需求，中國已經大量進口2.5kV至6.5kV電壓等級的模塊化產品。英飛凌、富士、安森美和東芝（Toshiba）等大公司在低壓至中壓1700V部分，分立IGBT和模塊化產品都處于領先地位，而2.5kV以上的高壓產品市場則由三菱公司主導。

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