半導體行業先進封裝技術概述
引言
半導體行業正在快速發展,對更強大、高效和緊湊的電子設備的需求不斷增長。先進封裝技術在滿足這些需求方面發揮著重要作用,它能夠實現更高的性能、改進的功能和更小的尺寸。本文概述了各種先進封裝技術、其應用及其發展的驅動力。
半導體應用和系統技術驅動因素
半導體行業已確定五大增長引擎或應用:
1、移動設備(智能手機、筆記本電腦、智能手表、可穿戴設備、平板電腦)
2、高性能計算(HPC)
3、自動駕駛汽車
4、物聯網(IoT)
5、大數據(云計算)和即時數據(邊緣計算)
這些應用主要由兩個關鍵系統技術驅動因素推動:
1、人工智能(AI)
2、5G技術
AI需要高性能計算基礎設施,如數據中心和超級計算機。AI應用所需的硬件組件包括CPU、GPU、FPGA、內存、服務器和交換機。
5G技術分為兩大類:
1、中頻段(Sub-6 GHz 5G):900 MHz < 頻率 < 6 GHz,數據速率 ≤ 1 Gbps
2、高頻段(5G毫米波):24 GHz ≤ 頻率 ≤ 100 GHz, 1 Gbps < 數據速率 ≤ 10 Gbps
先進封裝技術
為滿足這些應用和驅動因素的要求,開發了各種先進封裝技術。這些可以大致分為幾個類別:
1、2D集成:
- 2D扇出(芯片先行)IC集成
- 2D倒裝芯片IC集成
- 封裝疊加(PoP)
- 系統級封裝(SiP)或異構集成
- 2D扇出(芯片后置)IC集成
2、 2.1D集成:
- 2.1D倒裝芯片IC集成
- 帶橋接的2.1D倒裝芯片IC集成
- 帶橋接的2.1D扇出IC集成
3、2.3D集成:
- 2.3D扇出(芯片先行)IC集成
- 2.3D倒裝芯片IC集成
- 2.3D扇出(芯片后置)IC集成
4、 2.5D集成:
- 2.5D(C4焊球)IC集成
- 2.5D(C2微凸點)IC集成
5、3D集成:
- 微凸點3D IC集成
- 微凸點Chiplet 3D IC集成
- 無凸點3D IC集成
- 無凸點Chiplet 3D IC集成
讓我們更詳細地探討一些這些先進封裝技術:
2D扇出(芯片先行)IC集成:
這種技術涉及將多個芯片嵌入環氧模塑料(EMC)中,然后扇出重分布層(RDL)以連接到焊球。這種方法允許更高的集成密度和改進的電氣性能。
2D倒裝芯片IC集成:
在這種技術中,芯片被翻轉并使用C4(受控塌陷芯片連接)凸點或C2(芯片連接)凸點附著到構建封裝基板上。通常在芯片和封裝基板之間使用底填以提高可靠性。
封裝疊加(PoP)和系統級封裝(SiP):
PoP技術涉及將多個封裝堆疊在一起,通常結合邏輯和存儲組件。SiP技術將多個芯片和分立組件集成到單個封裝基板中。
2.1D倒裝芯片IC集成:
這種技術在構建封裝基板頂部具有薄膜層。這些薄膜層的金屬線寬和間距可以小到2/2 μm,支持帶有微凸點的倒裝芯片。
帶橋接的2.1D倒裝芯片IC集成:
這種技術,以英特爾的EMIB(嵌入式多芯片互連橋)為例,在構建封裝基板的頂層嵌入一個橋,以支持倒裝芯片之間的橫向通信。旨在替代TSV(硅通孔)中間層技術。
2.3D扇出(芯片先行)IC集成:
這種技術用扇出RDL中間層替代了TSV中間層、微凸點和底填。與傳統的2D扇出技術相比,它提供了改進的性能和集成密度。
2.5D(C2凸點)IC集成:
在這種技術中,諸如GPU和高帶寬存儲器(HBM)等組件使用C2微凸點附著到無源TSV中間層上。然后整個模塊使用C4凸點連接到封裝基板。
微凸點3D IC集成:
這種技術涉及垂直堆疊多個芯片并使用微凸點和TSV連接它們。頂部芯片使用微凸點連接到底部芯片(帶有TSV),整個模塊使用C4凸點附著到封裝基板上。
無凸點3D IC集成:
無凸點3D IC集成,也稱為混合鍵合,可實現芯片之間更細的間距連接。這種技術可以實現小至10 μm的焊盤間距,與微凸點技術相比顯著提高了互連密度。
無凸點Chiplet 3D IC集成:
這種新興技術,如臺積電的SoIC(集成芯片系統),涉及通過芯片到晶圓(CoW)或晶圓到晶圓(WoW)工藝進行無凸點混合鍵合Chiplet。它承諾更高的集成密度和性能。
組裝工藝
先進封裝技術中使用了幾種組裝工藝:1.線鍵合2.表面貼裝技術(SMT)3.有機基板上的倒裝芯片大規模回流4.芯片到芯片(CoC)、芯片到晶圓(CoW)和晶圓到晶圓(WoW)熱壓鍵合和混合鍵合
結論
先進封裝技術對于滿足現代電子設備和應用的需求非常重要。隨著半導體行業的不斷發展,這些封裝技術將在實現更高性能、改進功能和更小尺寸方面發揮越來越重要的作用。從2D集成到無凸點3D Chiplet集成,每種技術在性能、成本和可制造性方面都提供了獨特的優勢和權衡。
先進封裝的未來會在材料、工藝和設計方法方面進行進一步創新,以解決功耗、熱管理和信號完整性的挑戰。隨著AI、5G和其他新興技術繼續推動半導體行業向前發展,先進封裝將繼續成為下一代電子系統的關鍵賦能技術。
參考文獻
J. H. Lau, "Semiconductor Advanced Packaging," in Semiconductor Advanced Packaging. Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2021, ch. 1, pp. 1-19.
免責申明:本文內容轉自:旺材芯片。文字、素材、圖片版權等內容屬于原作者,本站轉載內容僅供大家分享學習。如果侵害了原著作人的合法權益,請及時與我們聯系,我們會安排刪除相關內容。本文內容為原作者觀點,并不代表我們贊同其觀點和(或)對其真實性負責。
先藝電子、XianYi、先藝、金錫焊片、Au80Sn20焊片、Solder Preform、芯片封裝焊片供應商、芯片封裝焊片生產廠家、芯片級三維系統集成技術、半導體互連和封裝技術,芯片級散熱技術、光伏焊帶、銀基釬料、助焊膏、高溫助焊劑、高溫焊錫膏、flux paste、陶瓷絕緣子封裝、氣密性封裝、激光器巴條封裝、熱沉、IGBT大功率器件封裝、光電子器件封裝、預成型錫片、納米銀、納米銀膏、AMB載板、AuSn Alloy、TO-CAN封裝、低溫焊錫膏、噴印錫膏、銀焊膏、銀膠、燒結銀、低溫銀膠、銀燒結、silver sinter paste、Ceramic submount、預涂助焊劑焊片、氣密封裝焊料、氣密性封焊、金錫熱沉、金錫襯底、金錫焊料封裝、芯片到玻璃基板貼片 (COG)、銦焊料封裝、共晶焊、金錫燒結、金錫共晶燒結、共晶鍵合、金錫薄膜、金錫合金薄膜、合金焊料、金錫焊料、Au50Cu50焊片、Au焊片、Au88Ge12焊片、Au99Sb1焊片、Sn焊片、激光巴條金錫共晶焊、激光巴條焊接材料、背金錫、金錫蓋板、金錫殼體、預置金錫殼體、預置金錫蓋板、預涂焊料蓋板、貼膜包裝焊片、覆膜預成形焊片、金錫薄膜熱沉、鎢銅金錫熱沉、SMT用預成形焊片、載帶式預成形焊片、錫銀焊料片、錫銻焊料片、中高溫焊片、異形焊料片、IGBT焊料片、焊錫片、預成型錫片、金錫焊膏、納米銀錫膏、微組裝焊料、金錫凸點、金錫bump、激光巴條共晶、Au80Sn20、AuSn Solder、晶振金錫封蓋、電鍍金錫、flux coating solder、共晶貼片、銦鉛焊片、銦鉛合金、錫鉍焊片、錫鉍焊料、金錫薄膜電路、ALN熱沉、氮化鋁熱沉、碳化硅金錫熱沉、SiC金錫熱沉、金剛石熱沉、硅基熱沉、CMC熱沉、CPC熱沉
廣州先藝電子科技有限公司是先進半導體連接材料制造商、電子封裝解決方案提供商,我們可根據客戶的要求定制專業配比的金、銀、銅、錫、銦等焊料合金,加工成預成形焊片,提供微電子封裝互連材料、微電子封裝互連器件和第三代功率半導體封裝材料系列產品,更多資訊請看trimsj.com.cn,或關注微信公眾號“先藝電子”。