深度解析SiC技術(shù)特點(diǎn)以及應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)

轉(zhuǎn)自：SIC碳化硅MOS管及功率模塊的應(yīng)用，作者：國(guó)產(chǎn)碳化硅器件

摘要：碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造用于耐高溫-高壓-高頻等應(yīng)用的功率器件，例如電動(dòng)汽車(chē)(EV)、脈沖電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率器件(如IGBT和MOSFET)相比，SiC具有多種優(yōu)勢(shì)，后者憑借其成本效益和制造工藝的簡(jiǎn)單性長(zhǎng)期主導(dǎo)市場(chǎng)。

SiC逆變器是滿(mǎn)足這些要求的關(guān)鍵解決方案。除了將輸入直流電轉(zhuǎn)換為交流電外，逆變器還根據(jù)驅(qū)動(dòng)需要控制提供給電機(jī)的功率水平。隨著汽車(chē)電動(dòng)汽車(chē)從400V逐漸遷移到800V，逆變器的作用變得更加重要。傳統(tǒng)的逆變器在將能量從電池傳輸?shù)诫姍C(jī)方面提供的效率在大約97%到98%之間，而基于SiC的逆變器可以達(dá)到高達(dá)99%的效率。硅基IGBT和SiC基MOSFET的導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗之間的比較，SiC的損耗降低了76%。

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